运用这种复数表明方式，宣下手能够考虑电信号的相位差和频率依赖性，然后有助于对电路特性进行详细分析。

图4.根据RDL的中介层PoP的3D示意图顶部RDL中介层设有凸块下金属（UBM）焊盘阵列，告收用于与移动内存封装或如电容器和电感器等无源组件树立电气衔接。图7.根据RDL的中介层PoP带CCSBs的工艺流程鄙人一步中，买旗经过在晶圆等级进行的填胶工艺完结顶部和底部层之间的空隙填充。

游开表1.测验样品的信息B菊花链规划测验样品中设有用于在牢靠性测验前后进行电气开路/短路（O/S）测验的菊花链。这些RDL运用铜（Cu）线完结，发团线宽/距离（L/S）为5μm/10μm，而且选用铜芯焊球（Copper-CoredSolderBalls,CCSBs）作为笔直互连组件。宣下手图3.带有CCSB的根据RDL的中介层PoP示意图供给了运用新工艺流程构建测验样品的成果及其牢靠性功能。

这种工艺的一个长处是在实践芯片拼装进程之前能够进行中心测验，告收以辨认已知杰出的方位。硅片以倒装芯片的办法键合在底部RDL基板上，买旗其间外围阵列运用45μm的凸点，而中心阵列则运用65μm的凸点进行微凸点布局。

CCSB的尺度应根据封装高度和CCSB着陆焊盘的距离/直径来挑选，游开以防止在CCSB放置进程或顶部中介层键合进程中呈现焊料桥接或不潮湿问题。

四、发团要害技能和制作成果根据RDL的集成PoP是运用以下三项要害技能制作的：发团(a)晶圆支持体系（WSS）(b)RDL制作(c)用于笔直互连的铜芯焊球（CCSBs）A晶圆支持体系（WSS）薄的顶部和底部RDL层运用WSS技能一起进行制备。版权所有，宣下手未经许可不得转载（本文来自于手机我国）(function(){varadScript=document.createElement(script);adScript.src=//d1.sina.com.cn/litong/zhitou/sinaads/demo/wenjing8/js/yl_left_hzh_20171020.js;document.getElementsByTagName(head)[0].appendChild(adScript);})();。

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(责任编辑：张靓玫)